Huawei và Apple đã đặt hàng gần hết công suất sản xuất chip 5nm của TSMC. Vì vậy, tiến trình 3nm đã được công ty đưa vào lịch trình phát triển của mình.
Theo công ty, việc đánh giá rủi ro sẽ diễn ra trong năm nay. Việc sản xuất hàng loạt sẽ được tiến hành từ giữa năm 2021.
Ngoài ra, TSMC cũng tiết lộ các chỉ số kỹ thuật của quy trình 3nm. So với quy trình 5nm, mật độ bóng bán dẫn của quy trình 3nm tăng 15%.
Hơn nữa, hiệu suất của chip 3nm tăng 10-15%, trong khi sử dụng năng lượng tiết kiệm 20-25%.
Trước đây, có tin đồn cho rằng TSMC sẽ bỏ qua quy trình 3nm để chuyển sang các bóng bán dẫn GAA.
Một số thông tin gần đây cho thấy TSMC đã phát triển thành công quy trình 2nm bằng công nghệ bóng bán dẫn GAA.
Điều này có nghĩa là chip 3nm của họ vẫn sử dụng công nghệ FinFET truyền thống.
Con chip 5nm đầu tiên của TSMC cho Qualcomm sẽ là Snapdragon 875. Hiện tại, bộ xử lí này đang được sản xuất hàng loạt.
Nó được xem là một bước đột phá với combo 1 + 3 + 4 trong đó lõi đơn sẽ là ARM Super-core Cortex X1 tăng 30% hiệu suất so với A77.
Trong khi đó, đối thủ của TSMC, Samsung cũng vừa tuyên bố họ sẽ sử dụng GAA-FET và bỏ qua 4nm nhằm phát triển quy trình 3nm.
Tuy nhiên, việc TSMC phát triển thành công quy trình 2nm chẳng phải là tin tức tốt lành gì cho Samsung – công ty đã phải cố gắng rất nhiều để phát triển quy trình sản xuất chip 3nm.